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ug环球官方网:8,000『亿』 “三”星大手笔加码半导体

admin 社会 2021-09-12 246 1 admin社会
三星电子韩国平泽二厂晶圆厂产线扩建计画

逆向加码?韩国三星电子继日前宣布在韩国平泽二厂扩建极紫外光晶圆代工生产线后,1日再宣布,将以8“兆韩元”在该厂扩大3D NAND记忆体产能,加上市场推估三星可能再加码DRAM投资15兆韩元,这一波景气危急,三星合计可能加码33兆韩元大投资。

由于三星的半导体计谋一向是在景气低迷时扩大投资,业界以为,三星近期可能会再宣布在P2厂DRAM产能追加投资计画。

新冠肺炎疫情「及」中美贸易战导致市场不确定性大增,三星一如过往选择在景气低迷时大肆投资,以确保在晶圆代工「及」记忆体市场的竞争力。〖据外电报导〗,三星1日宣布将扩建平泽二厂的3D NAND生产线,5月已最先举行无尘室施工,预计2021年下半年进入量产,与同样位于平泽二厂的晶圆代工EUV生产线一起启用。

三星虽然没有宣布此次扩建3D NAND产能的投资金额,但业界预估约莫投入约8兆韩元,将可增添每月2万片的12吋晶圆产能,明年下半年会量产三星【最先进的】100层以上3D NAND产物,预估第一批投产的产物会是第六代V-NAND。

记忆体模组业者指出,美国总统大选年底竣事,‘新冠’肺炎疫情明年应会显著缓和,以是记忆体市场明年将会是多头年,包罗资料中心、笔电「及」平板、〖智慧型手机等〗搭载容量将大幅提高,{其中},笔电「及」智慧型手机搭载512GB「及」1TB{储存}容量将成市场主流。三星现在启动扩产计画,{明年下}半年进入量产,正好可遇上下一波NAND Flash【需求发作时间点】。

三星NAND Flash生产线主要漫衍在韩国华城厂区、平泽厂区、以「及」中国西安厂区。{其中},中国西安厂二期「及」平泽二厂已努力扩建无尘室「及」增建生产线,{其中}西安厂二期将用于投产100层以下3D NAND的第五代V-NAND,平泽二厂则会生产100层以上3D NAND的第六代V-NAND。

《三星》平泽二厂是综合型晶圆厂,一层楼规画建置EUV晶圆代工「及」3D NAND生产线,另一层楼则追加DRAM生产线。在三星宣布5奈米EUV晶圆代工「及」3D NAND“产能扩建计画”后, <业界以为三星应很快> 会宣布DRAM产能扩建计画,同样在明年下半年量产。

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评论

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  • 2021-09-12 00:01:20

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